Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11050348 United States, Int. Cl.22 H02M 3/158, H03F 1/02. Semiconductor device : Appl. N 16/676062 : Filed 06.11.2019 : Pub. 29.06.2021 : / Shun Fukushima ; Assignee Rohm Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11050348/en?oq=US11050348.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).