Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11069415 United States, Int. Cl.22 G11C 16/30, G11C 16/32, H02M 3/07, G11C 11/56, G11C 16/04. Memory device including charge pump circuit : Appl. N 16/983006 : Filed 03.08.2020 : Pub. 20.07.2021 : / Se-Heon Baek, Dae-Seok Byeon, Ki-Chang Jang, Young-Sun Min ; Assignee Samsung Electronics Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11069415/en?oq=US11069415.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).