Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11070127 United States, Int. Cl.22 H02M 3/07, H02M 1/088, H02M 1/32, H03K 17/687. Semiconductor device : Appl. N 14/620176 : Filed 11.02.2015 : Pub. 20.07.2021 : / Morio Iwamizu ; Assignee Fuji Electric Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11070127/en?oq=US11070127.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).