Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11088609 United States, Int. Cl.22 H02M 1/00, H02M 3/335, H03K 17/16. Low noise power supply MOSFET gate drive scheme : Appl. N 14/542231 : Filed 14.11.2014 : Pub. 10.08.2021 : / Wayne C. Goeke ; Assignee Keithley Instruments LLC ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11088609/en?oq=US11088609.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).