Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11139749 United States, Int. Cl.22 H02M 7/145, H02M 1/08, H02M 1/32, H02M 1/42, H02M 7/155. Semiconductor device : Appl. N 16/860775 : Filed 28.04.2020 : Pub. 05.10.2021 : / Toshihiro Miyazaki ; Assignee Renesas Electronics Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11139749/en?oq=US11139749.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).