Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11195782 United States, Int. Cl.22 H01L 23/495, H01L 23/00, H01L 29/78, H02M 1/34, H02M 3/335, H03K 17/0814. Semiconductor device and manufacturing method thereof : Appl. N 16/380651 : Filed 10.04.2019 : Pub. 07.12.2021 : / Naoki Fujita, Hiroyuki Nakamura ; Assignee Renesas Electronics Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11195782/en?oq=US11195782.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).