Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11195909 United States, Int. Cl.22 H01L 29/06, H01L 29/10, H01L 29/40, H01L 29/78, H02M 3/158. LDMOS transistors with breakdown voltage clamps : Appl. N 16/279335 : Filed 19.02.2019 : Pub. 07.12.2021 : / Vijay Parthasarathy, Vipindas Pala, Marco A. Zuniga ; Assignee Maxim Integrated Products Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11195909/en?oq=US11195909.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).