Библиографическая ссылка на патент

Pat. 11251709 United States, Int. Cl.22 G05F 1/573, G05F 3/26, H02M 1/00, H02M 3/158. Overcurrent protection based on zero current detection : Appl. N 16/820405 : Filed 16.03.2020 : Pub. 15.02.2022 : / Thomas Ribarich, Daniel Marvin Kinzer, Tao Liu, Marco Giandalia, Victor Sinow ; Assignee Navitas Semiconductor Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11251709/en?oq=US11251709.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).
Яндекс.Метрика