Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11271493 United States, Int. Cl.22 H02M 7/162, H02M 1/08, H02M 1/32, H02M 1/36, H02M 1/42, H02M 1/00. Thyristor control : Appl. N 16/897672 : Filed 10.06.2020 : Pub. 08.03.2022 : / Laurent Gonthier, Yu Tsao Lin ; Assignee Stmicroelectronics Ltd Hong Kong ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11271493/en?oq=US11271493.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).