Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11367670 United States, Int. Cl.22 H01L 23/433, H01L 21/56, H01L 23/00, H01L 23/367, H01L 23/495, H01L 25/07, H02M 7/537. Power semiconductor device and manufacturing method of the same : Appl. N 16/767149 : Filed 05.11.2018 : Pub. 21.06.2022 : / Nobutake Tsuyuno ; Assignee Hitachi Astemo Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11367670/en?oq=US11367670.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).