Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11374401 United States, Int. Cl.22 H02H 7/122, H02H 9/04, H02M 1/34, H02M 7/5387. Overvoltage absorption circuit and single-phase heric topology : Appl. N 16/997571 : Filed 19.08.2020 : Pub. 28.06.2022 : / Peng Zhang ; Assignee Sungrow Shanghai Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11374401/en?oq=US11374401.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).