Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11387642 United States, Int. Cl.22 H02H 3/08, H02M 1/00, H02M 1/08, H02M 7/48, H03K 17/08, H03K 17/60. Overcurrent sense control of semiconductor device : Appl. N 16/391328 : Filed 23.04.2019 : Pub. 12.07.2022 : / Masashi Akahane ; Assignee Fuji Electric Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11387642/en?oq=US11387642.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).