Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11411424 United States, Int. Cl.22 H02J 7/00, H02J 7/34, H02M 1/00, H02M 3/07, H03K 17/041, H03K 17/0412. Repeatable fast turn-on of transistors : Appl. N 16/858335 : Filed 24.04.2020 : Pub. 09.08.2022 : / Huawen Jin, Kenneth J. Maggio, Thomas James Jung, Jr. ; Assignee Texas Instruments Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11411424/en?oq=US11411424.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).