Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11424671 United States, Int. Cl.22 H02M 1/32, H02H 3/20, H02H 7/12, H02M 3/158. Overvoltage protection circuit and operation method thereof : Appl. N 16/986822 : Filed 06.08.2020 : Pub. 23.08.2022 : / Moonyoung Kim, Jeongil Kang ; Assignee Samsung Electronics Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11424671/en?oq=US11424671.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).