Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11489443 United States, Int. Cl.22 H02M 3/07, H03L 7/093. Charge pump circuit : Appl. N 17/445598 : Filed 21.08.2021 : Pub. 01.11.2022 : / Haining Xu ; Assignee Changxin Memory Technologies Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11489443/en?oq=US11489443.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).