Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11513165 United States, Int. Cl.22 G01R 31/40, G01R 31/52, H02M 1/08, H02M 3/158, H02M 1/00. Power semiconductor module and leakage current test method for the same : Appl. N 16/889144 : Filed 01.06.2020 : Pub. 29.11.2022 : / Tadahiko Sato ; Assignee Fuji Electric Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11513165/en?oq=US11513165.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).