Библиографическая ссылка на патент
Pat. 9887699 United States, Int. Cl.22 H03K 19/177, H02M 3/158, H03K 19/0175. Programmable logic device with integrated high voltage power FET : Appl. N 15/336177 : Filed 27.10.2016 : Pub. 06.02.2018 : / Kapil Shankar, Thomas Chan, Patrick J. Crotty, John Birkner ; Assignee Andapt Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US9887699/en?oq=US9887699.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).