Библиографическая ссылка на патент
Pat. 9899328 United States, Int. Cl.22 H01L 23/50, H01L 23/00, H01L 23/538, H01L 23/66, H01L 25/07, H01L 25/18, H02M 1/088, H02M 7/00, H05K 7/14. Power semiconductor module : Appl. N 15/117327 : Filed 30.06.2014 : Pub. 20.02.2018 : / Yoshiko Tamada, Junichi Nakashima, Yasushi Nakayama, Yukimasa Hayashida ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US9899328/en?oq=US9899328.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).