Библиографическая ссылка на патент
Pat. 9912228 United States, Int. Cl.22 H02M 1/36, H05B 44/00, H02M 3/335. Start-up circuit and method using a depletion mode transistor : Appl. N 15/228682 : Filed 04.08.2016 : Pub. 06.03.2018 : / Mohammad Al-Shyoukh, Percy Neyra ; Assignee Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Tsmc Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US9912228/en?oq=US9912228.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).