Библиографическая ссылка на патент
Pat. 9923454 United States, Int. Cl.22 G01R 19/00, H02M 1/38, H02M 3/158. Fast high-side power FET gate sense circuit for high voltage applications : Appl. N 14/989387 : Filed 06.01.2016 : Pub. 20.03.2018 : / Zheng Li, Wai Cheong Chan ; Assignee Texas Instruments Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US9923454/en?oq=US9923454.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).