Библиографическая ссылка на патент
Pat. 9929689 United States, Int. Cl.22 H01L 23/64, H02M 1/34, H02P 27/04, H03K 17/687, H02M 3/158, H02M 7/5387. Semiconductor device : Appl. N 14/922340 : Filed 26.10.2015 : Pub. 27.03.2018 : / Masashi Nagasato ; Assignee Rohm Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US9929689/en?oq=US9929689.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).