Библиографическая ссылка на патент
Pat. 9979283 United States, Int. Cl.22 H02M 3/156, H02M 3/07, H02M 1/00, H02M 3/158. DC boosting circuit with at least one energy storage element : Appl. N 14/933370 : Filed 05.11.2015 : Pub. 22.05.2018 : / Makoto Yatsu ; Assignee Samsung Sdi Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US9979283/en?oq=US9979283.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).