Библиографическая ссылка на патент
Pat. 9998013 United States, Int. Cl.22 H02M 3/335, H02M 1/08, H02M 1/36, H02M 1/00. MOSFET driver with reduced power consumption : Appl. N 15/306854 : Filed 01.05.2015 : Pub. 12.06.2018 : / Andrey B. Malinin ; Assignee Dialog Semiconductor Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US9998013/en?oq=US9998013.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).