Выделить в тексте слова:

                                                  
.

C30B - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06) ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B) ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D,  C 22F) ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L) ; устройства для вышеуказанных целей [3]


Примечания
(1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее: [3]
         - "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы; [3]
         - "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава; [5]
         - "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях. [5]
(2) В данном подклассе применяется многоаспектная классификация, поэтому если тематика, характеризуется аспектами, охватываемыми более чем одной группой этого подкласса, то эта тематика должна также классифицироваться в каждой из этих групп. [2012.01]
(3) В данном подклассе : [3]
         - получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе  29/00; [3]
         - устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе  35/00. [3]

Содержание подкласса
ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ:
из твердых веществ или гелей 1/00 3/00 5/00
из жидкостей 7/00 - 21/00 27/00
из паров 23/00 25/00
ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЛИ ГОМОГЕННОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА С ОПРЕДЕЛЕННОЙ СТРУКТУРОЙ 28/00 30/00
МОНОКРИСТАЛЛЫ ИЛИ ГОМОГЕННЫЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ОПРЕДЕЛЕННОЙ СТРУКТУРОЙ 29/00
ПОСЛЕДУЮЩАЯ ОБРАБОТКА 31/00 33/00
УСТРОЙСТВА 35/00
Выращивание монокристаллов из твердого состояния или гелей [3]
C30B 1/00Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части  3/00; под защитной жидкостью  27/00) [3]
C30B 1/02     .термической обработкой, например отжигом деформаций ( 1/12 имеет преимущество) [3]
C30B 1/04     ..изотермическая рекристаллизация [3]
C30B 1/06     ..рекристаллизация с температурным градиентом [3]
C30B 1/08     ...зонная рекристаллизация [3]
C30B 1/10     .реакциями в твердом состоянии или многофазной диффузией [3]
C30B 1/12     .обработкой давлением в процессе выращивания [3]
C30B 3/00Однонаправленное разделение эвтектик на составные части [3]
C30B 5/00Выращивание монокристаллов из гелей (под защитной жидкостью  27/00) [3]
C30B 5/02     .с добавкой легирующего материала [3]
Выращивание монокристаллов из жидкостей; однонаправленное отвердевание эвтектик [3]
C30B 7/00Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей  9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте  11/00; под защитной жидкостью  27/00) [3]
C30B 7/02     .выпариванием растворителя [3]
C30B 7/04     ..с использованием водных растворителей [3]
C30B 7/06     ..с использованием неводных растворителей [3]
C30B 7/08     .охлаждением раствора [3]
C30B 7/10     .применением давления, например гидротермическими способами [3]
C30B 7/12     .электролизом [3]
C30B 7/14     .с кристаллизующимся материалом, образуемым химическими реакциями в растворе [3]
C30B 9/00Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте  11/00; зонной плавкой  13/00; вытягиванием кристаллов  15/00; на погруженном затравочном кристалле  17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев  19/00; под защитной жидкостью  27/00) [3]
C30B 9/02     .выпариванием расплавленного растворителя [3]
C30B 9/04     .охлаждением раствора [3]
C30B 9/06     ..с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции [3]
C30B 9/08     ..с использованием прочих растворителей [3]
C30B 9/10     ...металлические растворители [3]
C30B 9/12     ...солевые растворители, например выращивание из флюсов [3]
C30B 9/14     .электролизом [3]
C30B 11/00Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера ( 13/00,  15/00,  17/00,  19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью  27/00) [3]
C30B 11/02     .без использования растворителей ( 11/06 имеет преимущество) [3]
C30B 11/04     .добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3]
C30B 11/06     ..добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции [3]
C30B 11/08     ..добавлением всех компонентов кристаллической композиции в процессе кристаллизации [3]
C30B 11/10     ...твердые или жидкие компоненты, например по методу Вернейля [3]
C30B 11/12     ...парообразные компоненты, например выращивание в системе пар - жидкость - твердое вещество [3]
C30B 11/14     .отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3]
C30B 13/00Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой ( 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела  15/00; под защитной жидкостью  27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой  28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов) [3, 5]
C30B 13/02     .зонная плавка с растворителем, например способом перемещающегося растворителя [3]
C30B 13/04     .гомогенизация зонным выравниванием [3]
C30B 13/06     .с расплавленной зоной, не занимающей поперечное сечение полностью [3]
C30B 13/08     .добавлением к расплавленной зоне кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3]
C30B 13/10     ..с добавлением легирующего материала [3]
C30B 13/12     ...в газообразном или парообразном состоянии [3]
C30B 13/14     .тигли или сосуды [3]
C30B 13/16     .нагревание расплавленной зоны [3]
C30B 13/18     ..нагревательным элементом, находящимся в контакте или погруженным в расплавленную зону [3]
C30B 13/20     ..индукцией, например нагревательными элементами ( 13/18 имеет преимущество) [3]
C30B 13/22     ..облучением или электрическим разрядом [3]
C30B 13/24     ...с использованием электромагнитных волн [3]
C30B 13/26     .перемешивание расплавленной зоны [3]
C30B 13/28     .управление или регулирование [3]
C30B 13/30     ..стабилизация или управление формой расплавленной зоны, например с помощью концентраторов, с помощью электромагнитных полей; регулирование сечения кристалла [3]
C30B 13/32     .механизмы для перемещения загрузки или нагревателя [3]
C30B 13/34     .отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3]
C30B 15/00Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью  27/00) [3]
C30B 15/02     .добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3]
C30B 15/04     ..с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов [3]
C30B 15/06     .невертикальное вытягивание [3]
C30B 15/08     .вытягивание вниз [3]
C30B 15/10     .тигли или контейнеры для поддерживания расплава [3]
C30B 15/12     ..методы двойного тигля [3]
C30B 15/14     .нагревание расплава или кристаллизуемого материала [3]
C30B 15/16     ..облучением или электрическим разрядом [3]
C30B 15/18     ..с использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта Пельтье [3]
C30B 15/20     .управление или регулирование (управление или регулирование вообще  G 05) [3]
C30B 15/22     ..стабилизация или управление формой расплавленной зоны вблизи вытягиваемого кристалла; регулирование сечения кристалла [3]
C30B 15/24     ...с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений (формоизменяющие матрицы для выращивания из пленки кристаллов с определенными гранями  15/34) [3]
C30B 15/26     ...с использованием телевизионных детекторов; с использованием фотодетекторов и(или) рентгеновских детекторов [3]
C30B 15/28     ...с использованием изменения веса кристалла или расплава, например флотационными способами [3]
C30B 15/30     .механизмы для вращения или передвижения расплава или кристалла (флотационные способы  15/28) [3]
C30B 15/32     .держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны [3]
C30B 15/34     .выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей [3]
C30B 15/36     .отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3]
C30B 17/00Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса ( 15/00 имеет преимущество) [3]
C30B 19/00Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев [3]
C30B 19/02     .с использованием расплавленных растворителей, например флюсов [3]
C30B 19/04     ..с растворителем, являющимся компонентом кристаллической композиции [3]
C30B 19/06     .реакционные камеры; лодочки для поддерживания расплава; держатели подложек [3]
C30B 19/08     .нагревание реакционной камеры или подложки [3]
C30B 19/10     .управление или регулирование (управление или регулирование вообще  G 05) [3]
C30B 19/12     .характеризуемое подложкой [3]
C30B 21/00Однонаправленное отвердевание эвтектик [3]
C30B 21/02     .обычной отливкой или замораживанием при температурном градиенте [3]
C30B 21/04     .зонной плавкой [3]
C30B 21/06     .вытягиванием из расплава [3]
Выращивание монокристаллов из паров [3]
C30B 23/00Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала [3]
C30B 23/02     .выращивание эпитаксиальных слоев [3]
C30B 23/04     ..отложение образцов, например с использованием защитных слоев [3]
C30B 23/06     ..нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала [3]
C30B 23/08     ..конденсацией ионизированных паров (разбрызгиванием продуктов реакции  25/06) [3]
C30B 25/00Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3]
C30B 25/02     .выращивание эпитаксиальных слоев [3]
C30B 25/04     ..отложение образцов, например с использованием защитных слоев [3]
C30B 25/06     ..разбрызгиванием продуктов реакции [3]
C30B 25/08     ..реакционные камеры; выбор материалов для них [3]
C30B 25/10     ..нагревание реакционной камеры или подложки [3]
C30B 25/12     ..держатели или приемники подложек [3]
C30B 25/14     ..средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов [3]
C30B 25/16     ..управление или регулирование (управление или регулирование вообще  G 05) [3]
C30B 25/18     ..характеризуемое подложкой [3]
C30B 25/20     ...с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой [3]
C30B 25/22     ..способы получения "сэндвичевых" слоев [3]
C30B 27/02     .вытягиванием из расплава [3]
C30B 28/00Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [5]
C30B 28/02     .непосредственно из твердого состояния [5]
C30B 28/04     .из жидкостей [5]
C30B 28/06     ..обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте [5]
C30B 28/08     ..зонной плавкой [5]
C30B 28/10     ..вытягиванием из расплава [5]
C30B 28/12     .непосредственно из газообразного состояния [5]
C30B 28/14     ..химической реакцией реакционноспособных газов [5]
C30B 29/00Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой [3, 5]
Примечания
(1) При отсутствии специального указания в рубриках  29/02 - 29/54 материал классифицируется по последней подходящей рубрике. [3]
(2) Следует обратить внимание на Примечание (3) после заголовка раздела  C, это Примечание указывает, на какую версию периодической таблицы химических элементов ссылается МПК. В данной группе, используется периодическая система химических элементов, состоящая из 8 групп и обозначенная римскими цифрами в периодической таблице, приведенной соответственно в Примечании (3) после заголовка раздела  C. [2010.01]
C30B 29/02     .элементы [3]
C30B 29/04     ..алмаз [3]
C30B 29/06     ..кремний [3]
C30B 29/08     ..германий [3]
C30B 29/10     .неорганические соединения или композиции [3]
C30B 29/12     ..галогениды [3]
C30B 29/14     ..фосфаты [3]
C30B 29/16     ..оксиды [3]
C30B 29/18     ...кварц [3]
C30B 29/20     ...оксиды алюминия [3]
C30B 29/22     ...сложные оксиды [3]
C30B 29/24     ....с формулой AMeO3 , где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sс, Cr, Co или Al, например ортоферриты [3]
C30B 29/26     ....с формулой BMe2O4, где B - Mg, Ni, Co, Al, Zn или Cd, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al [3]
C30B 29/28     ....с формулой A3Me5O12, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты [3]
C30B 29/30     ....ниобаты; ванадаты; танталаты [3]
C30B 29/32     ....титанаты; германаты; молибдаты; вольфраматы [3]
C30B 29/34     ..силикаты [3]
C30B 29/36     ..карбиды [3]
C30B 29/38     ..нитриды [3]
C30B 29/40     ..соединения типа AIIIBV [3]
C30B 29/42     ...арсенид галлия [3]
C30B 29/44     ...фосфид галлия [3]
C30B 29/46     ..серо-, селен- или теллурсодержащие соединения [3]
C30B 29/48     ...соединения типа AIIBVI [3]
C30B 29/50     ....сульфид кадмия [3]
C30B 29/52     ..сплавы [3]
C30B 29/54     .органические соединения [3]
C30B 29/56     ..тартраты [3]
C30B 29/58     ..высокомолекулярные соединения [3]
C30B 29/60     .отличающиеся формой [3]
C30B 29/62     ..нитевидные кристаллы или иглы [3]
C30B 29/64     ..плоские кристаллы, например пластины, ленты, диски [5]
C30B 29/66     ..кристаллы сложной геометрической формы, например трубки, цилиндры [5]
C30B 29/68     ..кристаллы со слоистой структурой, например "сверхструктурой" [5]
C30B 30/00Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий [5]
Примечание
При классифицировании в данной группе классифицирование также проводится в группах  1/00 - 28/00 в соответствии со способом роста кристалла. [5]
C30B 30/02     .с использованием электрических полей, например электролиза [5]
C30B 30/04     .с использованием магнитных полей [5]
C30B 30/06     .с использованием механических колебаний [5]
C30B 30/08     .в условиях нулевой или пониженной гравитации [5]
Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3, 5]
C30B 31/00Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей [3, 5]
C30B 31/02     .контактированием с диффузионным материалом в твердом состоянии [3]
C30B 31/04     .контактированием с диффузионным материалом в жидком состоянии [3]
C30B 31/06     .контактированием с диффузионным материалом в газообразном состоянии ( 31/18 имеет преимущество) [3]
C30B 31/08     ..с диффузионным материалом, являющимся соединением элементов, способным к диффузии [3]
C30B 31/10     ..реакционные камеры; выбор материала для них [3]
C30B 31/12     ..нагревание реакционной камеры [3]
C30B 31/14     ..держатели или приемники подложек [3]
C30B 31/16     ..средства для подачи или выпуска газов; изменение потока газов [3]
C30B 31/18     ..управление или регулирование [3]
C30B 31/20     .легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами [3]
C30B 31/22     ..ионным внедрением [3]
C30B 33/00Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ( 31/00 имеет преимущество) [3, 5]
C30B 33/02     .термообработка ( 33/04,  33/06 имеют преимущество) [5]
C30B 33/04     .с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц [5]
C30B 33/06     .соединение кристаллов [5]
C30B 33/08     .травление [5]
C30B 33/10     ..в растворах или расплавах [5]
C30B 33/12     ..в газовой среде или плазме [5]

© 2014. Патинформбюро, В.И. Карнышев