|
|
|
|
ТАБЛИЦА патентов США1)Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда. Проект РНФ № 23-29-0403 https://rscf.ru/project/23-29-00403/ (USPTO)
(2018–2022)
в подгруппе МПКМеждународная патентная классификация (редакция 2022 года).22 H02M3/139
|
|
| № п/п | Патент (pdf) | Патент (html) | Название патента2)Перевод названий патентов США на русский язык выполнен Google Translate с помощью программы "QTranslate" (в автоматическом режиме). | Abstract (Реферат)3)Перевод рефератов патентов США на русский язык выполнен Google Translate с помощью программы "QTranslate" (в автоматическом режиме). | biblioБиблиографическая ссылка на патент США | |
2022 | ||||||
| 1 | 11233126 | открыть | SiC epitaxial wafer, semiconductor device, and power converter Эпитаксиальная пластина SiC, полупроводниковое устройство и силовой преобразователь | EngA SiC epitaxial wafer includes a SiC substrate and a SiC epitaxial layer disposed on the SiC substrate. The SiC epitaxial layer includes a high carrier concentration layer and two low carrier concentration layers having lower carrier concentration than the high carrier concentration layer, and being in contact with a top surface and a bottom surface of the high carrier concentration layer to sandwich the high carrier concentration layer. A difference in carrier concentration between the high carrier concentration layer and the low carrier concentration layers is 5Г—10 14 /cm 3 or more and 2Г—10 16 /cm 3 or less. | RusЭпитаксиальная пластина SiC включает подложку SiC и эпитаксиальный слой SiC, расположенный на подложке SiC. Эпитаксиальный слой SiC включает в себя слой с высокой концентрацией носителей и два слоя с низкой концентрацией носителей, имеющих более низкую концентрацию носителей, чем слой с высокой концентрацией носителей, и находящиеся в контакте с верхней и нижней поверхностями слоя с высокой концентрацией носителей, образуя между ними слои с высокой концентрацией носителей. концентрационный слой. Разница в концентрации носителей между слоем с высокой концентрацией носителей и слоями с низкой концентрацией носителей составляет 5M- 10 14 /см 3 или более и 2M- 10 16 /см 3 или менее. |  Копировать библиографическую ссылку |
2019 | ||||||
| 2 | 10224833 | открыть | Drive signal modulation method of modular multilevel converter and fault isolation method Способ модуляции управляющего сигнала модульного многоуровневого преобразователя и способ изоляции неисправности. | EngDisclosed are a modulation method of a modular multilevel converter and a fault isolation method of a submodule unit. The modulation method comprises a first mode and a second mode, and the first mode and the second mode operate cyclically. In the first mode, a first power semiconductor switch and a second power semiconductor switch are turned on alternately, while a third power semiconductor switch is turned off normally and a fourth power semiconductor switch is turned on normally. In the second mode, the third power semiconductor switch and the fourth power semiconductor switch are turned on alternately, while the first power semiconductor switch is turned on normally and the second power semiconductor switch is turned off normally. The method enables junction temperatures of the power semiconductor switches used to be equalized, increases an operation safety margin of the converter, effectively increase the capacity of the converter without increasing engineering costs, and achieve better performance in both economic efficiency and technicality. | RusРаскрыты способ модуляции модульного многоуровневого преобразователя и способ локализации неисправности блока субмодуля. Способ модуляции включает в себя первый режим и второй режим, и первый режим и второй режим работают циклически. В первом режиме первый силовой полупроводниковый переключатель и второй силовой полупроводниковый переключатель включаются попеременно, в то время как третий силовой полупроводниковый переключатель нормально выключается, а четвертый силовой полупроводниковый переключатель нормально включается. Во втором режиме третий силовой полупроводниковый переключатель и четвертый силовой полупроводниковый переключатель включаются поочередно, при этом первый силовой полупроводниковый переключатель нормально включается, а второй силовой полупроводниковый переключатель нормально выключается. Метод позволяет выровнять температуры переходов используемых силовых полупроводниковых ключей, увеличить запас надежности работы преобразователя, эффективно увеличить мощность преобразователя без увеличения инженерных затрат, а также добиться более высоких показателей как с экономической, так и с технической точки зрения. |  Копировать библиографическую ссылку |
| 3 | 10186968 | открыть | Direct current converter Преобразователь постоянного тока. | EngThe present application discloses a direct current (DC) converter including a voltage divider for dividing a voltage provided by a DC voltage source, having a positive DC voltage input terminal, a negative DC voltage input terminal, and a divided voltage output terminal; a conversion circuit having a first switch, a second switch, an inductor unit, a first unidirectional conductor, and a second unidirectional conductor; a positive converted voltage output terminal; and a negative converted voltage output terminal. | RusНастоящая заявка раскрывает преобразователь постоянного тока (DC), включающий в себя делитель напряжения для деления напряжения, обеспечиваемого источником постоянного напряжения, имеющий положительную входную клемму постоянного напряжения, отрицательную входную клемму постоянного напряжения и клемма выхода с разделенным напряжением; схему преобразования, имеющую первый переключатель, второй переключатель, блок индуктивности, первый однонаправленный проводник и второй однонаправленный проводник; клемма выхода с положительным преобразованным напряжением; и клемма выхода отрицательного преобразованного напряжения. | Копировать библиографическую ссылку |
| 4 | 10170994 | открыть | Voltage regulators for an integrated circuit chip Регуляторы напряжения для микросхемы интегральной схемы. | EngThe described embodiments include an apparatus that controls voltages for an integrated circuit chip having a set of circuits. The apparatus includes a switching voltage regulator separate from the integrated circuit chip and two or more low dropout (LDO) regulators fabricated on the integrated circuit chip. During operation, the switching voltage regulator provides an output voltage that is received as an input voltage by each of the two or more LDO regulators, and each of the two or more LDO regulators provides a local output voltage, each local output voltage received as a local input voltage by a different subset of circuits in the set of circuits. | RusОписанные варианты осуществления включают в себя устройство, которое регулирует напряжения для микросхемы интегральной схемы, имеющей набор схем. Устройство включает в себя импульсный стабилизатор напряжения, отдельный от микросхемы интегральной схемы, и два или более регуляторов с малым падением напряжения (LDO), изготовленных на микросхеме интегральной схемы. Во время работы импульсный стабилизатор напряжения обеспечивает выходное напряжение, которое принимается в качестве входного напряжения каждым из двух или более LDO-регуляторов, а каждый из двух или более LDO-регуляторов обеспечивает локальное выходное напряжение, причем каждое локальное выходное напряжение принимается как входное напряжение. локальное входное напряжение другим подмножеством цепей в наборе цепей. | Копировать библиографическую ссылку |
2018 | ||||||
| 5 | 9893613 | открыть | DC/DC converter Преобразователь постоянного тока в постоянный | EngTo provide a DC/DC converter which does not need to switch a change direction of a control value depending on a power transmission direction between low voltage side and high voltage side, and can control a voltage of a charge and discharge capacitor. A DC/DC converter which controls voltage of a charge and discharge capacitor by a controller that performs a О”duty control which changes an ON duty ratio difference of semiconductor circuits, and a phase shift control which changes a phase difference of an ON period of semiconductor circuits. | RusПредоставить преобразователь постоянного тока в постоянный, которому не нужно переключать направление изменения управляющего значения в зависимости от направления передачи энергии между стороной низкого напряжения и стороной высокого напряжения, и который может управлять напряжением заряда и разряда конденсатора. Преобразователь постоянного тока в постоянный, который регулирует напряжение конденсатора заряда и разряда с помощью контроллера, выполняющего управление режимом «О», которое изменяет разность скважностей полупроводниковых цепей, и управление фазовым сдвигом, которое изменяет разность фаз периода включения полупроводниковые схемы. | Копировать библиографическую ссылку |
| © 2023, ПАТ-Инфо, В.И. Карнышев
Дата формирования Таблицы: 28.07.2023 | ||||||
