Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06) ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B) ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D, C 22F) ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L) ; устройства для вышеуказанных целей [3]
Примечания
(1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее: [3]
- "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы; [3]
- "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава; [5]
- "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях. [5]
(2) В данном подклассе применяется многоаспектная классификация, поэтому если тематика, характеризуется аспектами, охватываемыми более чем одной группой этого подкласса, то эта тематика должна также классифицироваться в каждой из этих групп. [2012.01]
(3) В данном подклассе : [3]
- получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе 29/00; [3]
- устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе 35/00. [3]
