H01L - Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам (использование полупроводниковых приборов для измерений G 01; резисторы вообще H 01C; магниты, катушки индуктивности или индукторы, трансформаторы H 01F; конденсаторы вообще H 01G; электролитические приборы H 01G 9/00; батареи, аккумуляторы H 01M; волноводы, резонаторы или линии волноводного типа H 01P; линейные соединители, токосъемники H 01R; устройства стимулированного излучения H 01S; электромеханические резонаторы H 03H; громкоговорители, микрофоны, адаптеры или аналогичные электромеханические преобразователи звука H 04R; электрические источники света вообще H 05B; печатные схемы, гибридные /смешанные/ схемы, корпуса или конструктивные элементы электрической аппаратуры, изготовление блоков элементов электрической аппаратуры H 05K; использование полупроводниковых приборов в схемах, имеющих специальное применение, см. подклассы по применению) [2]
Примечания
(1) К этому подклассу отнесены: [2]
- электрические приборы на твердом теле, которые не предусмотрены в других подклассах, и их детали, включающие в себя:; полупроводниковые приборы, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования колебаний или переключения; полупроводниковые приборы, реагирующие на излучение; электрические приборы на твердом теле, в которых используются явления термоэлектричества, сверхпроводимости, пьезоэлектричества, электрострикции, магнитострикции; гальваномагнитные приборы и приборы с отрицательным объемным сопротивлением, а также интегральные схемы; [2]
- фоторезисторы, резисторы, сопротивление которых зависит от воздействия магнитного поля, резисторы с полевым эффектом, конденсаторы с потенциальным барьером, на котором происходит скачкообразное изменение потенциала, резисторы с потенциальным или с поверхностным барьером, диоды, излучающие некогерентные световые колебания, и схемы на тонких и толстых пленках; [2]
- способы и устройства, предназначенные для изготовления или обработки таких приборов, кроме одноступенчатых процессов, относящихся к другим разделам. [2]
(2) В данном подклассе термины или выражения используются со следующими значениями: [2]
- "полупроводниковая пластина" - тонкий слой полупроводникового или кристаллического материала подложки, который может быть изменен примесной диффузией (легированием), ионной имплантацией или эпитаксией и из активной поверхности которого может быть сформирована матрица (массив) дискретных компонентов или интегральных схем; [8]
- "полупроводниковая подложка" - подложка из вещества, внутри которого или на поверхности которого происходят физические эффекты, необходимые для действия прибора. В термоэлектрических приборах этот термин относится ко всем материалам, находящимся в тракте прохождения тока. [2]
Части, расположенные внутри или снаружи прибора (кроме самой подложки), которые воздействуют электрически на подложку, рассматриваются как электроды, независимо от того, осуществляются через них внешние электрические соединения или нет; в свою очередь, электрод может состоять из нескольких частей; к электродам относятся также металлические части, которые воздействуют на подложку через диэлектрик (например с помощью емкостной связи), а также устройства для индуктивной связи с подложкой. Диэлектрик в емкостных устройствах считается частью электрода. В устройствах, состоящих из нескольких частей, частями электрода считаются только те, которые воздействуют на подложку благодаря их форме, размеру, расположению или материалу, из которого они изготовлены. Прочие части рассматриваются как "устройства для подвода электрического тока к подложке или отвода тока от нее", или как "соединения между полупроводниковыми компонентами, выполненными внутри общей подложки или на ней", т.е. как проводники; [2]
- "прибор" - элемент электрической схемы; элемент электрической схемы, являющейся одним из множества элементов, сформированных внутри общей подложки или на ней, рассматривается как "компонент"; [2]
- "законченный прибор" - прибор полностью в собранном виде, который не требует добавления дополнительных конструктивных элементов перед его использованием, но может нуждаться в дальнейшей обработке, например в электроформировании; [2]
- "детали" - включает в себя все конструктивные узлы, из которых сконструирован законченный прибор; [2]
- "корпус" - оболочка, образующая часть законченного прибора и представляющая собой жесткую цельную конструкцию, в которой размещается подложка прибора, или конструкцию, сформированную непосредственно на подложке прибора без образования промежуточного слоя между оболочкой и подложкой; оболочка, состоящая из одного или нескольких слоев, сформированных непосредственно на подложке прибора и тесно соприкасающаяся с ее поверхностью, называется герметизирующей оболочкой; [2]
- "интегральная схема" - прибор, в котором все компоненты, например диоды, резисторы, и все промежуточные соединения между этими компонентами, сформированы на общей подложке; [2]
- "сборка" прибора - составление прибора из составляющих его конструктивных узлов, включая заполнение корпусов. [2]
(3) В данном подклассе классифицируются как способы, так и устройства для обработки или промышленного изготовления прибора как такового каждый раз, когда они описываются достаточно, чтобы представлять интерес. [6]
(4) Следует обратить внимание на Примечание (3) после заголовка раздела C, это Примечание указывает, на какую версию периодической таблицы химических элементов ссылается МПК. В этом подклассе используемая Периодическая система представляет собой систему из 8 групп, обозначенных римскими цифрами в периодической таблице в соответствии с ней [2010.01]
Содержание подкласса
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ |
| Приборы, предназначенные для выпрямления, усиления, переключения или генерирования | 29/00 |
| Приборы, чувствительные к излучению или испускающие его | 31/00 33/00 |
| ПРИБОРЫ НА ТВЕРДОМ ТЕЛЕ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ | 51/00 |
| ПРОЧИЕ ПРИБОРЫ НА ТВЕРДОМ ТЕЛЕ |
| Термоэлектрические или термомагнитные приборы | 35/00 37/00 |
| Сверхпроводящие приборы | 39/00 |
| Пьезоэлектрические, электрострикционные и магнитострикционные приборы вообще | 41/00 |
| Гальваномагнитные приборы | 43/00 |
| Приборы с потенциальным или поверхностным барьером; приборы с отрицательным объемным сопротивлением; приборы не предусмотренные в других подклассах | 45/00 47/00 49/00 |
| СБОРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ИЛИ ДРУГИХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА |
| Сборка отдельных приборов | 25/00 |
| Интегральные схемы | 27/00 |
| КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ | 23/00 |
| ИЗГОТОВЛЕНИЕ | 21/00 |
| H01L 21/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2,8] |
| | Примечание
Рубрика 21/70 имеет преимущество перед рубриками 21/02 - 21/67. [2]
|
| H01L 21/02 | | .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей [2,8] |
| H01L 21/027 | | ..образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам 21/18 или 21/34 [5] |
| H01L 21/033 | | ...с неорганическими слоями [5] |
| H01L 21/04 | | ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей [2] |
| H01L 21/06 | | ...приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала [2] |
| H01L 21/08 | | ....подготовка пластины основания [2] |
| H01L 21/10 | | ....предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации [2] |
| H01L 21/103 | | .....придание селену или теллуру электропроводности [2] |
| H01L 21/105 | | .....обработка поверхности слоя селена или теллура после придания ему электропроводности [2] |
| H01L 21/108 | | .....получение отдельных диэлектрических слоев, т.е. искусственных потенциальных барьеров [2] |
| H01L 21/12 | | ....наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания [2] |
| H01L 21/14 | | ....обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера [2] |
| H01L 21/145 | | .....старение [2] |
| H01L 21/16 | | ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди [2] |
| H01L 21/18 | | ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками [2,6,7] |
| | Примечание
К этой группе относятся также способы и устройства, которые при использовании соответствующей технологии могут применяться для изготовления или обработки устройств, в телах или подложках которых содержатся элементы IV группы Периодической Системы или соединения AIIIBV, даже если используемый материал конкретно не указан. [7]
|
| H01L 21/20 | | ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] |
| H01L 21/203 | | .....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием [2] |
| H01L 21/205 | | .....разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением [2] |
| H01L 21/208 | | .....жидкостным напылением [2] |
| H01L 21/22 | | ....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси |
| H01L 21/223 | | .....диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую [2] |
| H01L 21/225 | | .....диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя [2] |
| H01L 21/228 | | .....диффузия из твердой фазы в жидкую или обратно, например процессы сплавной диффузии [2] |
| H01L 21/24 | | ....сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой [2] |
| H01L 21/26 | | ....воздействие волновым излучением или излучением частиц [2] |
| H01L 21/261 | | .....для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции [6] |
| H01L 21/263 | | .....с высокой энергией ( 21/261 имеет преимущество) [2,6] |
| H01L 21/265 | | ......с внедрением ионов [2] |
| H01L 21/266 | | .......с использованием масок [5] |
| H01L 21/268 | | ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерного [2] |
| H01L 21/28 | | ....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20 - 21/268 [2] |
| H01L 21/283 | | .....осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов [2] |
| H01L 21/285 | | ......из газа или пара, например способом конденсации [2] |
| H01L 21/288 | | ......из жидкости, например способом электролитического осаждения [2] |
| H01L 21/30 | | ....обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20 - 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах 21/28) [2] |
| H01L 21/301 | | .....для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка 21/304) [6] |
| H01L 21/302 | | .....для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка [2] |
| H01L 21/304 | | ......механическая обработка, например шлифование, полирование, резка [2] |
| H01L 21/306 | | ......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок 21/3105) [2] |
| H01L 21/3063 | | .......электролитическое травление [6] |
| H01L 21/3065 | | .......плазменное травление; ионное травление [6] |
| H01L 21/308 | | .......с использованием масок ( 21/3063, 21/3065 имеют преимущество) [2,6] |
| H01L 21/31 | | .....с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ( герметизирующих слоев 21/56) ; последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев [2,5] |
| H01L 21/3105 | | ......последующая обработка [5] |
| H01L 21/311 | | .......травление [5] |
| H01L 21/3115 | | .......легирование [5] |
| H01L 21/312 | | ......из органических веществ, например слоев фоторезиста ( 21/3105, 21/32 имеют преимущество) [2,5] |
| H01L 21/314 | | ......из неорганических веществ ( 21/3105, 21/32 имеют преимущество) [2,5] |
| H01L 21/316 | | .......из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов [2] |
| H01L 21/318 | | .......из нитридов [2] |
| H01L 21/32 | | ......с использованием масок [2,5] |
| H01L 21/3205 | | ......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных или резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов 21/28) [5] |
| H01L 21/321 | | .......последующая обработка [5] |
| H01L 21/3213 | | ........физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности [6] |
| H01L 21/3215 | | ........легирование [5] |
| H01L 21/322 | | .....для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки [2] |
| H01L 21/324 | | .....термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание ( 21/20 - 21/288 и 21/302 - 21/322 имеют преимущество) [2] |
| H01L 21/326 | | .....применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( 21/20 - 21/288 и 21/302 - 21/324 имеют преимущество) [2] |
| H01L 21/328 | | ....многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров [5] |
| H01L 21/329 | | .....приборов, имеющих один или два электрода, например диодов [5] |
| H01L 21/33 | | .....приборов, имеющих три или более электродов [5] |
| H01L 21/331 | | ......транзисторов [5] |
| H01L 21/332 | | ......тиристоров [5] |
| H01L 21/334 | | ....многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов [5] |
| H01L 21/335 | | .....полевых транзисторов [5] |
| H01L 21/336 | | ......с изолированным затвором [5] |
| H01L 21/337 | | ......с управляющим p-n-переходом [5] |
| H01L 21/338 | | ......с затвором в виде барьера Шотки [5] |
| H01L 21/339 | | .....приборов с переносом зарядов [5,6] |
| H01L 21/34 | | ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в 21/06, 21/16 и 21/18 [2] |
| H01L 21/36 | | ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] |
| H01L 21/363 | | .....с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления [2] |
| H01L 21/365 | | .....с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение [2] |
| H01L 21/368 | | .....с использованием жидкостного осаждения [2] |
| H01L 21/38 | | ....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями [2] |
| H01L 21/383 | | .....диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия [2] |
| H01L 21/385 | | .....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою [2] |
| H01L 21/388 | | .....диффузия в твердую фазу из жидкой фазы, или обратная диффузия, например процессы сплавной диффузии [2] |
| H01L 21/40 | | ....сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой [2] |
| H01L 21/42 | | ....воздействие излучением [2] |
| H01L 21/423 | | .....высокой энергией [2] |
| H01L 21/425 | | ......с внедрением ионов [2] |
| H01L 21/426 | | .......с использованием масок [5] |
| H01L 21/428 | | ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение [2] |
| H01L 21/44 | | ....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в 21/36 - 21/428 [2] |
| H01L 21/441 | | .....осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов [2] |
| H01L 21/443 | | ......из газа или пара, например конденсацией [2] |
| H01L 21/445 | | ......из жидкости, например электролитическим осаждением [2] |
| H01L 21/447 | | .....с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия ( 21/607 имеет преимущество) [2] |
| H01L 21/449 | | .....с использованием механических колебаний, например ультразвуковых [2] |
| H01L 21/46 | | ....обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в 21/36 - 21/428 (изготовление электродов на них 21/44) [2] |
| H01L 21/461 | | .....для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой [2] |
| H01L 21/463 | | ......обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком [2] |
| H01L 21/465 | | ......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя 21/469) [2] |
| H01L 21/467 | | .......с использованием масок [2] |
| H01L 21/469 | | ......для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (герметизирующих слоев 21/56) ; последующая обработка этих слоев [2,5] |
| H01L 21/47 | | .......из органических веществ, например слоев фоторезиста ( 21/475, 21/4757 имеют преимущество) [2,5] |
| H01L 21/471 | | .......из неорганических веществ ( 21/475, 21/4757 имеют преимущество) [2,5] |
| H01L 21/473 | | ........состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла [2] |
| H01L 21/475 | | .......с использованием масок [2,5] |
| H01L 21/4757 | | .......последующая обработка [5] |
| H01L 21/4763 | | ......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов 21/28) [5] |
| H01L 21/477 | | .....термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием ( 21/36 - 21/449 и 21/461 - 21/475 имеют преимущество) [2] |
| H01L 21/479 | | .....обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( 21/36 - 21/449 и 21/461 - 21/477 имеют преимущество) [2] |
| H01L 21/48 | | ...изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06 - 21/326 [2] |
| H01L 21/50 | | ...сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06 - 21/326 [2] |
| H01L 21/52 | | ....монтаж полупроводниковой подложки в корпусе [2] |
| H01L 21/54 | | ....заполнение корпуса, например газом [2] |
| H01L 21/56 | | ....герметизация, например пленками или покрытиями [2] |
| H01L 21/58 | | ....крепление полупроводникового прибора на опоре [2] |
| H01L 21/60 | | ....присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора [2] |
| H01L 21/603 | | .....с использованием давления, например соединение тепловым сжатием ( 21/607 имеет преимущество) [2] |
| H01L 21/607 | | .....с использованием механических колебаний, например ультразвуковых колебаний [2] |
| H01L 21/62 | | ..приборы, не имеющие потенциального барьера, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера [2] |
| H01L 21/64 | | .изготовление или обработка приборов на твердом теле, иных чем полупроводниковые, или их частей, не предназначенные только для данного типа приборов, предусмотренных в группах 31/00 - 51/00 [2,8] |
| H01L 21/66 | | .испытания или измерения в процессе изготовления или обработки [2] |
| H01L 21/67 | | .устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми или электронными устройствами на твердом теле при их изготовлении или обработке; устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми пластинами при изготовлении или обработке полупроводниковых или электрических устройств на твердом теле или их компонентов [8] |
| H01L 21/673 | | ..с использованием специальных держателей [8] |
| H01L 21/677 | | ..для транспортировки, например между различными рабочими местами [8] |
| H01L 21/68 | | ..для позиционирования, ориентирования и центрирования [2,8] |
| H01L 21/683 | | ..для поддержания или захвата ( для изменения положения 21/68) [8] |
| H01L 21/687 | | ...с использованием механических средств, например зажимов, фиксаторов или захватов [8] |
| H01L 21/70 | | .изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов, H 05K 3/00, H 05K 13/00) [2] |
| H01L 21/71 | | ..изготовление особых частей устройств, относящихся к группам 21/70 ( 21/28, 21/44, 21/48 имеют преимущество) [6] |
| H01L 21/74 | | ...получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений [2] |
| H01L 21/76 | | ...получение изоляционных областей между компонентами [2] |
| H01L 21/761 | | ....p-n переходов [6] |
| H01L 21/762 | | ....диэлектрических областей [6] |
| H01L 21/763 | | ....поликристаллических полупроводниковых областей [6] |
| H01L 21/764 | | ....воздушных зазоров [6] |
| H01L 21/765 | | ....с помощью полевого эффекта [6] |
| H01L 21/768 | | ...с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора [6] |
| H01L 21/77 | | ..изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее [6] |
| H01L 21/78 | | ...с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов, 21/304) [2,6] |
| H01L 21/782 | | ....для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента ( 21/82 имеет преимущество) [6] |
| H01L 21/784 | | .....на подложке из полупроводникового материала [6] |
| H01L 21/786 | | .....на подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих [6] |
| H01L 21/82 | | ....для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов [2] |
| H01L 21/822 | | .....полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии ( 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| H01L 21/8222 | | ......технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах [6] |
| H01L 21/8224 | | .......содержащих комбинации из вертикальных и горизонтальных транзисторов [6] |
| H01L 21/8226 | | .......содержащих объединенную транзисторную логику или интегральную переходную логику [6] |
| H01L 21/8228 | | .......комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы [6] |
| H01L 21/8229 | | .......структуры памяти [6] |
| H01L 21/8232 | | ......технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах [6] |
| H01L 21/8234 | | .......технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах [6] |
| H01L 21/8236 | | ........комбинация обеднения или обогащения транзисторов [6] |
| H01L 21/8238 | | ........на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры [6] |
| H01L 21/8239 | | ........структуры памяти [6] |
| H01L 21/8242 | | .........динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ) [6] |
| H01L 21/8244 | | .........статические структуры памяти со случайным доступом (статические ЗУПВ) [6] |
| H01L 21/8246 | | .........структуры памяти только считывающие (ПЗУ) [6] |
| H01L 21/8247 | | ..........электрически программируемые (СПЗУ) [6] |
| H01L 21/8248 | | ......комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах [6] |
| H01L 21/8249 | | .......технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и МОП-структурах [6] |
| H01L 21/8252 | | .....на подложке из полупроводникового материала с исользованием III-V технологии ( 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| H01L 21/8254 | | .....на подложке из полупроводникового материала с использованием II-VI технологии ( 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| H01L 21/8256 | | .....на подложке из полупроводникового материала с использованием технологий, не отнесенных к рубрикам 21/822, 21/8252 или 21/8254 ( 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| H01L 21/8258 | | .....на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках 21/822, 21/8252, 21/8254 или 21/8256 [6] |
| H01L 21/84 | | .....на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика [2,6] |
| H01L 21/86 | | ......с диэлектриком из сапфира, например структуры кремний на сапфире [2,6] |
| H01L 21/98 | | ..сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем ( 21/50 имеет преимущество) [2,5] |
|
|
| H01L 23/00 | Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле ( 25/00 имеет преимущество) [2,5] |
Примечания
К данной группе не относятся: [5]
- элементы полупроводниковых подложек и электродов приборов, которые отнесены к группе 29/00, их детали также отнесены к группе 29/00; [5]
- конструктивные элементы, специально предназначенные для приборов, которые отнесены к одной из основных групп 31/00 - 51/00; их детали также отнесены к указанным группам. [2,5]
|
| H01L 23/02 | | .корпуса; уплотнения ( 23/12, 23/34, 23/48, 23/552 имеют преимущество) [2,5] |
| H01L 23/04 | | ..отличающиеся формой [2] |
| H01L 23/043 | | ...с полой конструкцией и электропроводным основанием, служащим креплением и выводом для полупроводниковой подложки [5] |
| H01L 23/045 | | ....остальные выводы проложены через отверстия в основании и изолированы от него [5] |
| H01L 23/047 | | ....остальные выводы параллельны основанию [5] |
| H01L 23/049 | | ....остальные выводы перпендикулярны основанию [5] |
| H01L 23/051 | | ....другой вывод служит крышкой, параллельной основанию, например структура типа "сэндвич" [5] |
| H01L 23/053 | | ...имеющие полую конструкцию и изоляционное основание, являющееся креплением для полупроводниковой подложки [5] |
| H01L 23/055 | | ....с выводами, проходящими через отверстия в основании [5] |
| H01L 23/057 | | ....с выводами, параллельными основанию [5] |
| H01L 23/06 | | ..отличающиеся материалом корпуса или его электрическими параметрами [2] |
| H01L 23/08 | | ...материалом, являющимся электрическим изолятором, например стеклом [2] |
| H01L 23/10 | | ..отличающиеся материалом или расположением уплотнений между частями прибора, например между крышкой и основанием корпуса или между выводами и стенками корпуса [2] |
| H01L 23/12 | | .крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки [2] |
| H01L 23/13 | | ..отличающиеся формой [5] |
| H01L 23/14 | | ..отличающиеся материалом или его электрическими параметрами [2] |
| H01L 23/15 | | ...керамические или стеклянные подложки [5] |
| H01L 23/16 | | .заполнители или вспомогательные элементы для корпусов, например центрирующие кольца ( 23/42, 23/552 имеют преимущество) [2,5] |
| H01L 23/18 | | ..отличающиеся материалом, его физическими или химическими свойствами, или расположением внутри собранного прибора [2] |
| | Примечание
Рубрика 23/26 имеет преимущество перед рубриками 23/20 - 23/24. [2]
|
| H01L 23/20 | | ...газообразные при нормальной рабочей температуре прибора [2] |
| H01L 23/22 | | ...жидкостные при нормальной рабочей температуре прибора [2] |
| H01L 23/24 | | ...твердые или студнеобразные при нормальной рабочей температуре прибора [2] |
| H01L 23/26 | | ...содержащие материалы для абсорбирования или химического связывания влаги или других нежелательных веществ [2] |
| H01L 23/28 | | .герметизирующие средства, например герметизирующие слои, покрытия ( 23/552 имеет преимущество) [2,5] |
| H01L 23/29 | | ..отличающиеся материалом [5] |
| H01L 23/31 | | ..отличающиеся расположением [5] |
| H01L 23/32 | | .держатели для крепления готовых приборов в процессе работы, т.е. съемные фиксаторы ( 23/40 имеет преимущество) [2,5] |
| H01L 23/34 | | .приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации [2,5] |
| H01L 23/36 | | ..выбор материалов или специальной формы для облегчения охлаждения или нагрева, например устройства для отвода тепла [2] |
| H01L 23/367 | | ...охлаждение, обусловленное формой прибора [5] |
| H01L 23/373 | | ...охлаждение, обусловленное подбором материалов для прибора [5] |
| H01L 23/38 | | ..охладительные устройства с использованием эффекта Пельтье [2] |
| H01L 23/40 | | ..монтажные или крепежные приспособления для съемных охлаждающих или нагревательных приспособлений [2] |
| H01L 23/42 | | ..заполнители или вспомогательные детали для корпусов, подбираемые или приспосабливаемые для облегчения нагрева или охлаждения [2,5] |
| H01L 23/427 | | ...охлаждение путем изменения состояния, например с использованием нагревательных трубок [5] |
| H01L 23/433 | | ...вспомогательные детали, отличающиеся формой, например поршни [5] |
| H01L 23/44 | | ..готовые приборы, полностью погруженные в текучую среду, кроме воздуха ( 23/427 имеет преимущество) [2,5] |
| H01L 23/46 | | ..с отводом тепла посредством потока жидкости или газа ( 23/42, 23/44 имеют преимущество) [2] |
| H01L 23/467 | | ...потока газа, например воздуха [5] |
| H01L 23/473 | | ...потока жидкости [5] |
| H01L 23/48 | | .приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода или вводы [2] |
| H01L 23/482 | | ..состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой [5] |
| H01L 23/485 | | ...имеющие вид слоистых структур, содержащих электропроводные и изоляционные слои, например плоскостные контакты [5] |
| H01L 23/488 | | ..состоящие из паяных или сварных конструкций [5,8] |
| H01L 23/49 | | ...с использованием проволоки [5] |
| H01L 23/492 | | ...с использованием подложек или плат [5] |
| H01L 23/495 | | ...с использованием выводных рамок [5] |
| H01L 23/498 | | ...с использованием выводов на диэлектрических подложках [5] |
| H01L 23/50 | | ..для интегральных схем ( 23/482 - 23/498 имеют преимущество) [2,5] |
| H01L 23/52 | | .электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы [2] |
| H01L 23/522 | | ..включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке [5] |
| H01L 23/525 | | ...с приспосабливаемыми межсоединениями [5] |
| H01L 23/528 | | ...компоновка структуры межсоединений [5] |
| H01L 23/532 | | ...отличающиеся материалом [5] |
| H01L 23/535 | | ..включающие в себя внутренние межсоединения, например, с перекрещиванием межсоединений [5] |
| H01L 23/538 | | ..структура соединений между несколькими полупроводниковыми кристаллами, сформированными на или в изоляционной подложке [5] |
| H01L 23/544 | | .метки, наносимые на полупроводниковые приборы, например регистрационные метки, контрольные рисунки [5] |
| H01L 23/552 | | .защита от излучений, например света [5] |
| H01L 23/556 | | ..от альфа-излучения [5] |
| H01L 23/58 | | .структурные электрические схемы для полупроводниковых приборов, не предусмотренные в других группах [5] |
| H01L 23/60 | | ..защита от электростатических зарядов или разрядов, например экраны Фарадея [5] |
| H01L 23/62 | | ..защита от сверхтока или перенапряжения, например плавкие предохранители, шунты [5] |
| H01L 23/64 | | ..активно-реактивные схемы [5] |
| H01L 23/66 | | ...для работы на высоких частотах [5] |
|
|
| H01L 25/00 | Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле (приборы, состоящие из нескольких элементов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее 27/00; фотоэлектрические модули или матрицы фотоэлектрических ячеек 31/042) [2,5] |
| H01L 25/03 | | .блоки, в которых все приборы отнесены к типам, предусмотренным в группах 27/00 - 51/00, например блоки выпрямляющих диодов [5,8] |
| H01L 25/04 | | ..устройств, не имеющих отдельных корпусов [2,2014.01] |
| H01L 25/065 | | ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе 27/00 [5] |
| H01L 25/07 | | ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе 29/00 [5] |
| H01L 25/075 | | ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе 33/00 [5] |
| H01L 25/10 | | ..блоки приборов с отдельными корпусами [2] |
| H01L 25/11 | | ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе 29/00 [5] |
| H01L 25/13 | | ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе 33/00 [5] |
| H01L 25/16 | | .блоки, в которых все используемые приборы относятся к типам, предусмотренным в двух или более различных основных группах 27/00 - 51/00, например для формирования гибридных схем [2,8] |
| H01L 25/18 | | .блоки, в которых все используемые приборы относятся к типам, предусмотренным в двух или более различных рубриках одной из основных групп 27/00 - 51/00 [5,8] |
|
|
| H01L 27/00 | Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (конструктивные элементы и особенности таких приборов 23/00, 29/00 - 51/00; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, 25/00) [2,8] |
| | Примечание
В группах H01L 27/01 - H01L 27/28 применяется правило последней подходящей рубрики, т.е. на каждом иерархическом уровне в случае отсутствия особого указания классифицирование проводится по последней подходящей рубрике. [2]
|
| H01L 27/01 | | .содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке [3] |
| H01L 27/02 | | .содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером [2] |
| H01L 27/04 | | ..с подложкой из полупроводника [2] |
| H01L 27/06 | | ...содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется [2] |
| H01L 27/07 | | ....несколько компонентов с общей активной зоной [5] |
| H01L 27/08 | | ...содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида [2] |
| H01L 27/082 | | ....только биполярные компоненты [5] |
| H01L 27/085 | | ....только компоненты с полевым эффектом [5] |
| H01L 27/088 | | .....полевые транзисторы с изолированным затвором [5] |
| H01L 27/092 | | ......комплементарные полевые МДП-транзисторы [5] |
| H01L 27/095 | | .....полевые транзисторы с затвором Шотки [5] |
| H01L 27/098 | | .....полевые транзисторы с управляющим p-n переходом [5] |
| H01L 27/10 | | ...содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией [2] |
| H01L 27/102 | | ....биполярные компоненты [5] |
| H01L 27/105 | | ....компоненты с полевым эффектом [5] |
| H01L 27/108 | | .....структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5] |
| H01L 27/11 | | .....структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5] |
| H01L 27/112 | | .....структуры постоянных запоминающих устройств [5] |
| H01L 27/115 | | ......электрически программируемые постоянные запоминающие устройства [5] |
| H01L 27/118 | | ....интегральные схемы на основе базового кристалла [5] |
| H01L 27/12 | | ..с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика [2] |
| H01L 27/13 | | ...комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами [3] |
| H01L 27/14 | | .содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света 31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G 02B 6/42) [2] |
| H01L 27/142 | | ..устройства преобразования энергии (фотоэлектрические модули или матрицы единичных фотоэлектрических элементов, содержащие шунтирующие диоды, встроенные или непосредственно связанные с устройствами H01L 31/0443, фотоэлектрические модули, состоящие из нескольких тонкоплёночных солнечных элементов, расположенных на одной подложке H01L 31/046 ) [5,2014.01] |
| H01L 27/144 | | ..устройства, управляемые при помощи излучения [5] |
| H01L 27/146 | | ...структуры формирователей сигналов изображения [5] |
| H01L 27/148 | | ....формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью [5] |
| H01L 27/15 | | .с полупроводниковыми компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер [2] |
| H01L 27/16 | | .содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле 23/38) [2] |
| H01L 27/18 | | .содержащие компоненты, обладающие сверхпроводимостью [2] |
| H01L 27/20 | | .содержащие пьезоэлектрические компоненты; содержащие электрострикционные компоненты; содержащие магнитострикционные компоненты [2,7] |
| H01L 27/22 | | .содержащие компоненты, в которых применяются гальваномагнитные эффекты, например эффект Холла; в которых используются другие аналогичные эффекты магнитного поля [2] |
| H01L 27/24 | | .содержащие предназначенные для выпрямления, усиления или переключения компоненты на твердом теле без потенциального барьера, на котором имеется скачкообразное изменение потенциала, или без поверхностного барьера [2] |
| H01L 27/26 | | .содержащие компоненты с объемным отрицательным сопротивлением [2] |
| H01L 27/28 | | .содержащие компоненты с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части [8] |
| H01L 27/30 | | ..с компонентами, специально предназначенными для восприятия инфракрасного излучения, света, коротковолнового или корпускулярного излучения; с компонентами, специально предназначенными как для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью такого излучения [8] |
| H01L 27/32 | | ..с компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний, например дисплеи с плоским экраном с использованием органических светоизлучающих диодов [8] |
|
|
| H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них ( 31/00 - 47/00, 51/05 имеют преимущество; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, 27/00) [2,6] |
Примечание
В этой основной группе приборы классифицируются во всех рубриках 29/02, 29/40 и в 29/66 в той мере, в какой эти рубрики соответствуют им. [2]
|
| H01L 29/02 | | .полупроводниковые подложки [2] |
| H01L 29/04 | | ..характеризуемые кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой или с определенной ориентацией кристаллической плоскости (характеризуемые дефектом кристаллической решетки 29/30) [2] |
| H01L 29/06 | | ..отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [2] |
| H01L 29/08 | | ...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2] |
| H01L 29/10 | | ...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2] |
| H01L 29/12 | | ..характеризуемые материалами, из которых они образованы [2] |
| H01L 29/15 | | ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например со множеством квантовых ям, сверхрешётки (такие структуры, применяемые для управления светом G 02F 1/017, такие структуры, применяемые в полупроводниковых лазерах H 01S 5/34) [6] |
| | Примечание
Рубрика 29/15 имеет преимущество перед рубриками 29/16 - 29/26. [6]
|
| H01L 29/16 | | ...содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из IV группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде [2] |
| H01L 29/161 | | ....содержащие несколько элементов, предусмотренных в 29/16 [2] |
| H01L 29/165 | | .....в разных полупроводниковых областях [2] |
| H01L 29/167 | | ....отличающиеся легирующими материалами [2] |
| H01L 29/18 | | ...только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей [2] |
| H01L 29/20 | | ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIIBV [2,6] |
| H01L 29/201 | | ....включая два или более соединения [2] |
| H01L 29/205 | | .....в разных полупроводниковых областях [2] |
| H01L 29/207 | | ....отличающиеся легирующими материалами [2] |
| H01L 29/22 | | ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIBVI [2] |
| H01L 29/221 | | ....включая два или более соединения [2] |
| H01L 29/225 | | .....в разных полупроводниковых областях [2] |
| H01L 29/227 | | ....отличающиеся легирующими материалами [2] |
| H01L 29/24 | | ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в 29/16, 29/18, 29/20, или 29/22 [2] |
| H01L 29/26 | | ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в 29/16, 29/18, 29/20, 29/22 и 29/24 [2] |
| H01L 29/267 | | ....в разных полупроводниковых областях [2] |
| H01L 29/30 | | ..характеризуемые физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность [2] |
| H01L 29/32 | | ...с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки [2] |
| H01L 29/34 | | ...с дефектами структуры на поверхности полупроводниковой подложки [2] |
| H01L 29/36 | | ..характеризуемые концентрацией или распределением примесей [2] |
| H01L 29/38 | | ..отличающиеся комбинацией особенностей, предусмотренных в двух или более рубриках 29/04, 29/06, 29/12, 29/30 и 29/36 [2] |
| H01L 29/40 | | .электроды |
| H01L 29/41 | | ..характеризуемые формой, соответственными размерами или расположением [6] |
| H01L 29/417 | | ...пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6] |
| H01L 29/423 | | ...не пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6] |
| H01L 29/43 | | ..характеризуемые материалами, из которых они сформированы [6] |
| H01L 29/45 | | ...электроды с омическим сопротивлением [6] |
| H01L 29/47 | | ...электроды с барьером Шотки [6] |
| H01L 29/49 | | ...электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник) [6] |
| H01L 29/51 | | ....диэлектрические материалы, относящиеся к электродам [6] |
| H01L 29/66 | | .типы полупроводниковых приборов [2] |
| H01L 29/68 | | ..управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток ( 29/96 имеет преимущество) [2] |
| H01L 29/70 | | ...биполярные приборы [2] |
| H01L 29/72 | | ....приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы [2] |
| H01L 29/73 | | .....биполярные плоскостные транзисторы [5] |
| H01L 29/732 | | ......вертикальные транзисторы [6] |
| H01L 29/735 | | ......горизонтальные транзисторы [6] |
| H01L 29/737 | | ......гетеротранзисторы [6] |
| H01L 29/739 | | .....управляемые полевым эффектом [6] |
| H01L 29/74 | | ....приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией [2] |
| H01L 29/744 | | .....с выключением приборов по управляющему электроду [6] |
| H01L 29/745 | | ......с выключением с помощью полевого эффекта [6] |
| H01L 29/747 | | .....двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры) [2] |
| H01L 29/749 | | .....с выключением с помощью полевого эффекта [6] |
| H01L 29/76 | | ...униполярные приборы [2] |
| H01L 29/762 | | ....приборы с переносом заряда [6] |
| H01L 29/765 | | .....приборы с зарядовой связью [6] |
| H01L 29/768 | | ......с полевым эффектом, обеспечиваемым изолирующим затвором [6] |
| H01L 29/772 | | ....полевые транзисторы [6] |
| H01L 29/775 | | .....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор FET [6] |
| H01L 29/778 | | .....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов HEMT [6] |
| H01L 29/78 | | .....с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора [2] |
| H01L 29/786 | | ......тонкопленочные транзисторы [6] |
| H01L 29/788 | | ......с плавающим затвором [5] |
| H01L 29/792 | | ......с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор [5] |
| H01L 29/80 | | .....с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n перехода или другого выпрямляющего перехода [2] |
| H01L 29/808 | | ......с затвором в виде p-n перехода [5] |
| H01L 29/812 | | ......с затвором типа барьера Шотки [5] |
| H01L 29/82 | | ..управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору ( 29/96 имеет преимущество) [2,6] |
| H01L 29/84 | | ..управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления ( 29/96 имеет преимущество) [2,6] |
| H01L 29/86 | | ..управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток ( 29/96 имеет преимущество) [2] |
| H01L 29/8605 | | ...плоскостные резисторы с p-n переходом [6] |
| H01L 29/861 | | ...диоды [6] |
| H01L 29/862 | | ....точечные диоды [6] |
| H01L 29/864 | | ....инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды [6] |
| H01L 29/866 | | ....диоды Зеннера [6] |
| H01L 29/868 | | ....p-i-n диоды [6] |
| H01L 29/87 | | ....диодные тиристоры, например диоды Шохлея, обращенные диоды [6] |
| H01L 29/872 | | ....диоды Шотки [6] |
| H01L 29/88 | | ....туннельные диоды [2] |
| H01L 29/885 | | .....туннельные диоды Есаки [6] |
| H01L 29/92 | | ...конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером [2] |
| H01L 29/93 | | ....диоды с регулируемой емкостью, например варакторы [2] |
| H01L 29/94 | | ....конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой [2] |
| H01L 29/96 | | ..типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик 29/68, 29/82, 29/84 или 29/86 [2] |
|
|
| H01L 31/00 | Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов ( 51/42 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света 27/00) [2,6,8] |
| H01L 31/02 | | .конструктивные элементы [2] |
| H01L 31/0203 | | ..корпуса; герметизация (для фотоэлектрических устройств H01L 31/048; для органических фоточувствительных устройств H01L 51/44) [5,2014.01] |
| H01L 31/0216 | | ..покрытия ( H01L 31/041 имеет преимущество) [5,2014.01] |
| H01L 31/0224 | | ..электроды [5] |
| H01L 31/0232 | | ..оптические элементы или приспособления, связанные с прибором ( H01L 31/0236 имеет преимущество; для фотоэлектрических элементов H01L 31/054; для фотоэлектрических модулей H02S 40/20) [5,2014.01] |
| H01L 31/0236 | | ..специальные поверхностные рельефы [5] |
| H01L 31/024 | | ..приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации (для фотоэлектрических устройств H01L 31/052 ) [5,2014.01] |
| H01L 31/0248 | | .характеризуемые полупроводниковой подложкой [5] |
| H01L 31/0256 | | ..отличающиеся материалом кристалла [5] |
| H01L 31/0264 | | ...неорганическим материалом [5] |
| H01L 31/0272 | | ....использованием селена или теллура [5] |
| H01L 31/028 | | ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы IV группы Периодической Системы [5] |
| H01L 31/0288 | | .....характеризуемые легирующим веществом [5] |
| H01L 31/0296 | | ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe [5] |
| H01L 31/0304 | | ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV [5] |
| H01L 31/0312 | | ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC [5] |
| H01L 31/032 | | ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках 31/0272 - 31/0312 [5] |
| H01L 31/0328 | | ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках 31/0272 - 31/032 [5] |
| H01L 31/0336 | | .....в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu2X - CdX, где X - элемент VI группы Периодической Системы [5] |
| H01L 31/0352 | | ..характеризуемые формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [5] |
| H01L 31/036 | | ..отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей [5] |
| H01L 31/0368 | | ...содержащие поликристаллические полупроводники ( 31/0392 имеет преимущество) [5] |
| H01L 31/0376 | | ...содержащие аморфные полупроводники ( 31/0392 имеет преимущество) [5] |
| H01L 31/0384 | | ...содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик ( 31/0392 имеет преимущество) [5] |
| H01L 31/0392 | | ...содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки [5] |
| H01L 31/04 | | .предназначенные для работы в качестве фотоэлектрических преобразователей, например фотоэлектрические модули или единичные фотоэлектрические элементы (проверка их в процессе изготовления H01L 21/66; проверка их после изготовления H02S 50/10) [2,2014.01] |
| H01L 31/041 | | ..меры для предотвращения повреждений, вызванных корпускулярным излучением, например для использования в космосе [2014.01] |
| H01L 31/042 | | ..фотоэлектрические модули или матрицы единичных фотоэлектрических элементов (несколько тонкоплёночных солнечных элементов на общей подложке H01L 27/142; опорные подложки для фотоэлектрических H02S 20/00) [5,2014.01] |
| H01L 31/043 | | ...механически пакетированные фотоэлектрические элементы [2014.01] |
| H01L 31/044 | | ...включающие в себя шунтирующие диоды (шунтирующие диоды в электромонтажных коробках H02S 40/34) [2014.01] |
| H01L 31/0443 | | ....содержащие шунтирующие диоды, встроенные или непосредственно соединенные с устройствами, например шунтирующие диоды, встроенные или сформированные внутри или на той же самой подложке, что и фотоэлектрические элементы [2014.01] |
| H01L 31/0445 | | ...включающие в себя тонкоплёночные солнечные элементы, например единичные тонкоплёночные Si, CIS или CdTe солнечные элементы [2014.01] |
| H01L 31/046 | | ....фотоэлектрические модули, состоящие из нескольких тонкоплёночных солнечных элементов, расположенных на одной подложке [2014.01] |
| H01L 31/0463 | | .....отличающиеся особыми способами формирования рисунка для соединения фотоэлектрических элементов в модуле, например лазерная резка проводящих или активных слоёв [2014.01] |
| H01L 31/0465 | | .....содержащие особые конструкции для электрического взаимодействия соседних фотоэлектрических ячеек в модуле ( H01L 31/0463 имеет преимущество) [2014.01] |
| H01L 31/0468 | | .....содержащие специальные средства для получения частичного пропускания света через модуль, например частично прозрачные тонкоплёночные солнечные модули для окон (2014.01] [2014.01] |
| H01L 31/047 | | ...матрицы фотоэлектрических элементов включающие в себя фотоэлектрические элементы с несколькими вертикальными переходами или несколькими переходами с V-образными канавками, сформированными в полупроводниковой подложке [2014.01] |
| H01L 31/0475 | | ...матрицы фотоэлектрических элементов, выполненные с помощью элементов, расположенных в одной плоскости, например повторяющихся, на единственной полупроводниковой подложке; микроматрицы фотоэлектрических элементов (фотоэлектрические модули, состоящие из нескольких тонкоплёночных солнечных элементов, расположенных на одной подложке H01L 31/046) [2014.01] |
| H01L 31/048 | | ...изолирование модулей [5,2014.01] |
| H01L 31/049 | | ....защитные задние листы [2014.01] |
| H01L 31/05 | | ...электрические средства взаимодействия между фотоэлектрическими элементами внутри фотоэлектрического модуля, например при последовательном включении фотоэлектрических элементов (электроды H01L 31/0224; электрическое взаимодействие тонкоплёночных солнечных элементов, сформированных на общей подложке H01L 27/142; средства взаимодействия, специально предназначенные для электрического соединения двух или более фотоэлектрических модулей H02S 40/36 ) [5,2014.01] |
| H01L 31/052 | | ..средства охлаждения непосредственно связанные или встроенные в фотоэлектрический элемент, например встроенные элементы Пельтье для активного охлаждения или радиаторы, непосредственно соединенные с фотоэлектрическими элементами (средства охлаждения, объединенные с фотоэлектрическим модулем H02S 40/42) [5,2014.01] |
| H01L 31/0525 | | ...включающие в себя средства для утилизации тепловой энергии, непосредственно связанные с фотоэлектрическим элементом, например встроенные элементы Зеебека [2014.01] |
| H01L 31/053 | | ..средства накопления энергии, связанные или встроенные в фотоэлектрический элемент, например конденсатор, встроенный в фотоэлектрический элемент (средства накопления энергии, связанные с фотоэлектрическим модулем H02S 40/38) [2014.01] |
| H01L 31/054 | | ..оптические элементы, непосредственно связанные или объединённые с фотоэлектрическим элементом, например светоотражающие средства или светоконцентрирующие средства [2014.01] |
| H01L 31/055 | | ...в которых свет поглощается и повторно излучается на другой длине волны оптическим элементом, непосредственно связанным или объединенным с фотоэлектрическим элементом, например с помощью люминесцентного материала, флуоресцентных концентраторов или устройств преобразования с повышением частоты [5,2014.01] |
| H01L 31/056 | | ...светоотражающие средства, являющиеся рефлектором типа рефлектора с тыльной поверхностью [BSR] [2014.01] |
| H01L 31/06 | | ..характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером [2,2012.01] |
| H01L 31/061 | | ...потенциальные барьеры типа точечного контакта ( H01L 31/07 имеет преимущество) [2012.01] |
| H01L 31/062 | | ...с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник [5,2012.01] |
| H01L 31/065 | | ...с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной [5,2012.01] |
| H01L 31/068 | | ...потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гомоструктурным переходом, например монолитные кремниевые p-n гомоструктурные солнечные батареи или кремниевые поликристаллические тонкопленочные p-n гомоструктурные солнечные батареи [5,2012.01] |
| H01L 31/0687 | | ....многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/0693 | | ....устройства, включающие в себя, за исключением примесного материала или других примесей, только соединения AIIIBV, например GaAs или InP солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/07 | | ...с потенциальными барьерами только типа Шотки [5,2012.01] |
| H01L 31/072 | | ...потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гетероструктурным переходом [5,2012.01] |
| H01L 31/0725 | | ....многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/073 | | ....содержащие только полупроводниковые соединения AIIBVI, например CdS/CdTe солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/0735 | | ....содержащие только полупроводниковые соединения AIIIBV, например GaAs/AlGaAs или InP/GaInAs солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/074 | | ....содержащие гетероструктурный переход с элементом VI группы Периодической Системы, например ITO/Si, GaAs/Si или CdTe/Si солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/0745 | | ....содержащие AIVBIV гетероструктурный переход, например Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/0747 | | .....содержащие гетероструктурный переход из кристаллических или аморфных материалов, например гетероструктурный переход с собственным тонким слоем или HIT® солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/0749 | | ....включающие в себя AIBIIICVI соединения, например солнечные батареи CdS/CuInSe2 (CIS) с гетероструктурным переходом [2012.01] |
| H01L 31/075 | | ...потенциальные барьеры только p-i-n типа, например аморфные силиконовые p-i-n солнечные батареи [5,2012.01] |
| H01L 31/076 | | ....многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01] |
| H01L 31/077 | | ....устройства, содержащие монокристаллические или поликристаллические материалы [2012.01] |
| H01L 31/078 | | ...включающие в себя разные типы потенциальных барьеров, предусмотренные в двух или более группах H01L 31/061 - H01L 31/075 [5,2012.01] |
| H01L 31/08 | | .в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы [2] |
| H01L 31/09 | | ..приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению ( 31/101 имеет преимущество) [5] |
| H01L 31/10 | | ..характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы [2] |
| H01L 31/101 | | ...чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению [5] |
| H01L 31/102 | | ....характеризуемые наличием только одного потенциального или поверхностного барьера [5] |
| H01L 31/103 | | .....с потенциальным барьером в виде p-n перехода [5] |
| H01L 31/105 | | .....с потенциальным барьером p-i-n типа [5] |
| H01L 31/107 | | .....с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды [5] |
| H01L 31/108 | | .....с потенциальным барьером Шотки [5] |
| H01L 31/109 | | .....с потенциальным барьером в виде p-n гетероперехода [5] |
| H01L 31/11 | | ....характеризуемые наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы [5] |
| H01L 31/111 | | ....характеризуемые наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры [5] |
| H01L 31/112 | | ....характеризуемые действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы [5] |
| H01L 31/113 | | .....со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник [5] |
| H01L 31/115 | | ...приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению [5] |
| H01L 31/117 | | ....детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом [5] |
| H01L 31/118 | | ....детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера [5] |
| H01L 31/119 | | ....характеризуемые использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник [5] |
| H01L 31/12 | | .связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (электролюминесцентные источники света как таковые H 05B 33/00) [2,5] |
| H01L 31/14 | | ..с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения [2] |
| H01L 31/147 | | ...полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5] |
| H01L 31/153 | | ....сформированные на общей подложке или внутри нее [5] |
| H01L 31/16 | | ..с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света [2] |
| H01L 31/167 | | ...полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5] |
| H01L 31/173 | | ....сформированные на общей подложке или внутри нее [5] |
| H01L 31/18 | | .способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей [2] |
| H01L 31/20 | | ..приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал [5] |
|
|
| H01L 33/00 | Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов ( H01L 51/50 имеет преимущество; приборы, состоящие из множества полупроводниковых компонентов, сформированных на общей подложке или внутри ее, и включающие в себя полупроводниковые компоненты, по меньшей мере, с одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером, специально предназначенные для излучения света H01L 27/15; полупроводниковые лазеры H 01S 5/00) [2,8,2010.01] |
Примечания
(1) Эта группа охватывает светоизлучающие диоды (LEDs) или суперлюминисцентные диоды (SLDs), включающие в себя LEDs или SLDs, излучающие инфракрасный свет (IR) или ультрафиолетовый (UV). [2010.01]
(2) В этой группе применяется правило первой подходящей рубрики, т.е. на каждом иерархическом уровне в случае отсутствия особого указания классификация проводится по первой подходящей рубрике. [2010.01]
|
| H01L 33/02 | | .характеризующиеся полупроводниковыми телами [2010.01] |
| H01L 33/04 | | ..со структурой с квантовыми эффектами или сверхрешеткой, например с туннельным переходом [2010.01] |
| H01L 33/06 | | ...в светоизлучающей области, например структуры с квантовым ограничением или туннельным барьером [2010.01] |
| H01L 33/08 | | ..с множеством светоизлучающих областей, например, с боковым прерывистым светоизлучающим слоем или фотолюминесцентной областью, встроенной в полупроводниковое тело ( H01L 27/15 имеет преимущество) [2010.01] |
| H01L 33/10 | | ..со светоизлучающей структурой, например полупроводниковый отражатель Брэгга [2010.01] |
| H01L 33/12 | | ..со структурой с релаксацией напряжений, например буферный слой [2010.01] |
| H01L 33/14 | | ..со структурой, управляющей переносом носителей зарядов, например сильнолегированный полупроводниковый слой или структура с блокировкой тока [2010.01] |
| H01L 33/16 | | ..с особенной структурой кристалла или ориентацией, например поликристаллической, аморфной или пористой [2010.01] |
| H01L 33/18 | | ...внутри светоизлучающей области [2010.01] |
| | Примечание
При классифицировании в этой группе классифицирование также проводится в группе H01L 33/26 или в одной из ее подгрупп, чтобы указать химический состав светоизлучающей области [2010.01]
|
| H01L 33/20 | | ..с особенной формой, например искривленной или усеченной подложкой [2010.01] |
| H01L 33/22 | | ...шероховатые поверхности, например на границе между эпитаксиальными слоями [2010.01] |
| H01L 33/24 | | ...светоизлучающей области, например не плоский переход [2010.01] |
| H01L 33/26 | | ..материалы светоизлучающей области [2010.01] |
| H01L 33/28 | | ...содержащие только элементы II группы и VI группы периодической системы [2010.01] |
| H01L 33/30 | | ...содержащие только элементы III группы и V группы периодической системы [2010.01] |
| H01L 33/32 | | ....содержащие азот [2010.01] |
| H01L 33/34 | | ...содержащие только элементы IV группы периодической системы [2010.01] |
| H01L 33/36 | | .характеризуемые электродами [2010.01] |
| H01L 33/38 | | ..особой формы [2010.01] |
| H01L 33/40 | | ..материалы для них [2010.01] |
| H01L 33/42 | | ...прозрачные материалы [2010.01] |
| H01L 33/44 | | .характеризуемые покрытием, например пассивирующий слой или анти-отражающее покрытие [2010.01] |
| H01L 33/46 | | ..отражающим покрытием, например диэлектрический отражатель Брэгга [2010.01] |
| H01L 33/48 | | .характеризуемые корпусами полупроводникового тела [2010.01] |
| | Примечание
Эта группа охватывает элементы, находящиеся в тесном контакте с полупроводниковым телом или встроенные в корпус. [2010.01]
|
| H01L 33/50 | | ..элементы преобразования длины волны [2010.01] |
| H01L 33/52 | | ..герметичные корпуса [2010.01] |
| H01L 33/54 | | ...имеющие особую форму [2010.01] |
| H01L 33/56 | | ...материалы, например эпоксидная или силиконовая смола [2010.01] |
| H01L 33/58 | | ..оптические элементы, формирующие поле [2010.01] |
| H01L 33/60 | | ...отражающие элементы [2010.01] |
| H01L 33/62 | | ..устройства для подвода электрического тока к полупроводниковому телу или отвода от полупроводникового тела, например рамка с выводами, проволочные выводы или шариковые выводы [2010.01] |
| H01L 33/64 | | ..элементы для отвода тепла или охлаждающие элементы [2010.01] |
|
|
| H01L 35/00 | Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее 27/00) [2] |
| H01L 35/02 | | .конструктивные элементы [2] |
| H01L 35/04 | | ..конструктивные элементы переходов; присоединение выводов [2] |
| H01L 35/06 | | ...съемные элементы, например с использованием пружины [2] |
| H01L 35/08 | | ...несъемные, например склеенные, спеченные, припаянные [2] |
| H01L 35/10 | | ...присоединение выводов [2] |
| H01L 35/12 | | .выбор материалов для плеч перехода [2] |
| H01L 35/14 | | ..с использованием составов из неорганических веществ [2] |
| H01L 35/16 | | ...содержащих теллур, селен или серу [2] |
| H01L 35/18 | | ...содержащих мышьяк, сурьму или висмут ( 35/16 имеет преимущество) [2] |
| H01L 35/20 | | ...содержащих только металлы ( 35/16, 35/18 имеют преимущество) [2] |
| H01L 35/22 | | ...содержащих соединения из бора, углерода, кислорода или азота [2] |
| H01L 35/24 | | ..с использованием составов из органических веществ [2] |
| H01L 35/26 | | ..с использованием непрерывно или ступенчато изменяемых составов внутри материала [2] |
| H01L 35/28 | | .основанные только на эффектах Пельтье или Зеебека [2] |
| H01L 35/30 | | ..характеризуемые средствами теплообмена в переходе [2] |
| H01L 35/32 | | ..отличающиеся конструкцией или конфигурацией термоэлемента или термопары, образующей прибор [2] |
| H01L 35/34 | | .способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей [2] |
|
|
| H01L 37/00 | Термоэлектрические приборы без перехода между различными материалами; термомагнитные приборы, например приборы, в которых используется эффект Нернста-Эттингсхаузена; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления таких приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее 27/00) [2] |
| H01L 37/02 | | .с использованием температурных изменений диэлектрической постоянной, например приборы, работающие выше и ниже точки Кюри [2] |
| H01L 37/04 | | .с использованием температурных изменений магнитной проницаемости, например приборы, работающие выше и ниже точки Кюри [2] |
|
|
| H01L 39/00 | Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее 27/00; сверхпроводники, отличающиеся способом формования или составом керамики C 04B 35/00; сверхпроводники, сверхпроводящие кабели или передающие линии H 01B 12/00; сверхпроводящие катушки или обмотки H 01F; усилители с использованием сверхпроводимости H 03F 19/00) [2,4] |
| H01L 39/02 | | .конструктивные элементы [2] |
| H01L 39/04 | | ..корпуса; крепления [2] |
| H01L 39/06 | | ..характеризуемые трактом прохождения тока [2] |
| H01L 39/08 | | ..характеризуемые формой элемента [2] |
| H01L 39/10 | | ..отличающиеся приспособлениями для переключения [2] |
| H01L 39/12 | | ..характеризуемые материалом [2] |
| H01L 39/14 | | .приборы с постоянной сверхпроводимостью [2] |
| H01L 39/16 | | .приборы с переключением из сверхпроводящего состояния в нормальное состояние или наоборот [2] |
| H01L 39/18 | | ..криотроны [2] |
| H01L 39/20 | | ...мощные криотроны [2] |
| H01L 39/22 | | .приборы с переходом между различными материалами, например приборы с использованием эффекта Джозефсона [2] |
| H01L 39/24 | | .способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в 39/00 приборов или их частей [2] |
|
|
| H01L 41/00 | Пьезоэлектрические приборы вообще; электрострикционные приборы вообще; магнитострикционные приборы вообще; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов и их частей; конструктивные элементы таких приборов (приборы, содержащие несколько компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00) [2, 2013.01] |
Примечания
(1) К этой группе не отнесены приспособления для особых целей, которые рассматриваются в соответствующих рубриках. [6]
(2) Следует обратить внимание на ниже следующее: [6]
B 06B для приспособлений для генерирования или передачи механических колебаний; [6]
G 01 для преобразователей в качестве чувствительных элементов для измерения; [6]
G 04C, G 04F для преобразователей, предназначенных для использования во временном интервале; [6]
G 10K для приспособлений для генерирования или передачи звука; [6]
H 02N для устройств из элементов в электрических машинах; [6]
H 03H 9/00 для сетей, содержащих электромеханические или электроакустические элементы, например резонансные схемы; [6]
H 04R для громкоговорителей, микрофонов, адаптеров и подобных преобразователей. [6]
|
| H01L 41/02 | | .конструктивные элементы [2] |
| H01L 41/04 | | ..пьезоэлектрических или электрострикционных приборов [2] |
| H01L 41/047 | | ...электроды [6] |
| H01L 41/053 | | ...держатели, опоры, оболочки или кожухи [6] |
| H01L 41/06 | | ..магнитострикционных элементов [2] |
| H01L 41/08 | | .пьезоэлектрические или электрострикционные приборы [2] |
| H01L 41/083 | | ..представляющие собой наборную или многослойную конструкцию (структуру) [6] |
| H01L 41/087 | | ..сформованные как коаксиальные кабели [6] |
| | Примечание
Рубрики 41/083 и 41/087 имеют преимущество перед рубриками 41/09 - 41/113. [6]
|
| H01L 41/09 | | ..с электрическим вводом и механическим выводом [5] |
| H01L 41/107 | | ..с электрическим вводом и электрическим выводом [5] |
| H01L 41/113 | | ..с механическим вводом и электрическим выводом [5] |
| H01L 41/12 | | .магнитострикционные приборы [2] |
| H01L 41/16 | | .выбор материалов [2] |
| H01L 41/18 | | ..для пьезоэлектрических или электрострикционных приборов [2] |
| H01L 41/187 | | ...керамические составы [5] |
| H01L 41/193 | | ...высокомолекулярные составы [5] |
| H01L 41/20 | | ..для магнитострикционных приборов [2] |
| H01L 41/22 | | .способы или устройства, специально предназначенные для сборки, изготовления или обработки пьезоэлектронных или электрострикционных приборов или их частей [2,2013.01] |
| H01L 41/23 | | ..формирование корпусов или кожухов [2013.01] |
| H01L 41/25 | | ..сборка устройств, включающих в себя пьезоэлектрические или электрострикционные элементы [2013.01] |
| H01L 41/253 | | ..обработка устройств или их частей для изменения пьезоэлектрических или электрострикционных свойств, например поляризационных характеристик, вибрационных характеристик или режима настройки [2013.01] |
| H01L 41/257 | | ...поляризацией [2013.01] |
| H01L 41/27 | | ..изготовление или сборка многослойных пьезоэлектрических или электрострикционных приборов или их частей, например, путем пакетирования пьезоэлектрических тел и электродов [2013.01] |
| H01L 41/273 | | ...путем монолитного спекания пьезоэлектрических или электрострикционных тел и электродов [2013.01] |
| H01L 41/277 | | ...путем наслаивания пьезоэлектрических или электрострикционных тел и электродов [2013.01] |
| H01L 41/29 | | ..формирование электродов, концевых выводов или клеммных устройств [2013.01] |
| | Примечание
Размещение электрода интегрального отдельного слоя и электрода соединения, классифицируются в обеих группах H01L 41/293 и H01L 41/297 [2013.01]
|
| H01L 41/293 | | ...соединительных электродов многослойных пьезоэлектрических или электрострикционных элементов [2013.01] |
| H01L 41/297 | | ...электроды отдельного слоя многослойных пьезоэлектрических или электрострикционных элементов [2013.01] |
| H01L 41/31 | | ..нанесение пьезоэлектрических или электрострикционных элементов или тел на электрический элемент или другую базу [2013.01] |
| H01L 41/311 | | ...монтаж пьезоэлектрических или электрострикционных частей с полупроводниковыми элементами или другими полупроводниковыми схемными элементами, на общей подложке [2013.01] |
| H01L 41/312 | | ...склеиванием или сваркой пьезоэлектрических или электрострикционных тел [2013.01] |
| H01L 41/313 | | ....металлическим спеканием или адгезией [2013.01] |
| H01L 41/314 | | ...путем напыления пьезоэлектрических или электрострикционных слоев, например аэрозоль, трафаретная печать [2013.01] |
| H01L 41/316 | | ....путем парофазного напыления [2013.01] |
| H01L 41/317 | | ....путем жидкофазного напыления [2013.01] |
| H01L 41/318 | | .....путем золегелевого напыления [2013.01] |
| H01L 41/319 | | ....с использованием промежуточных слоев, например для управления ростом [2013.01] |
| H01L 41/33 | | ..придание формы или механическая обработка пьезоэлектрических или электрострикционных тел [2013.01] |
| H01L 41/331 | | ...путем нанесения покрытия или напылением с использованием маски, например обратная литография [2013.01] |
| H01L 41/332 | | ...травлением, например литографией [2013.01] |
| H01L 41/333 | | ...формованием или экструзией [2013.01] |
| H01L 41/335 | | ...путем механической обработки [2013.01] |
| H01L 41/337 | | ....путем полирования или шлифовки [2013.01] |
| H01L 41/338 | | ....путем полирования или шлифовки [2013.01] |
| H01L 41/339 | | ....путем перфорирования [2013.01] |
| H01L 41/35 | | ..формование пьезоэлектрических или электрострикционных материалов [2013.01] |
| H01L 41/37 | | ...композитных материалов [2013.01] |
| H01L 41/39 | | ...неорганических материалов [2013.01] |
| H01L 41/41 | | ....путем расплавления [2013.01] |
| H01L 41/43 | | ....путем спекания [2013.01] |
| H01L 41/45 | | ...органических материалов [2013.01] |
| H01L 41/47 | | .способы или устройства, специально предназначенные для сборки, изготовления или обработки магнитострикционных устройств или их частей [2013.01] |
|
|
| H01L 43/00 | Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, 27/00) [2] |
| H01L 43/02 | | .конструктивные элементы [2] |
| H01L 43/04 | | ..приборов с использованием эффекта Холла [2] |
| H01L 43/06 | | .приборы с использованием эффекта Холла [2] |
| H01L 43/08 | | .резисторы, управляемые магнитным полем [2] |
| H01L 43/10 | | .выбор материалов [2] |
| H01L 43/12 | | .способы или устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов или их частей [2] |
| H01L 43/14 | | ..приборов с использованием эффекта Холла [2] |
|
|
| H01L 45/00 | Приборы на твердом теле, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, 27/00; приборы с использованием сверхпроводимости 39/00; пьезоэлектрические элементы 41/00; приборы с эффектом отрицательного объемного сопротивления 47/00) [2] |
|
|
|
| H01L 47/00 | Приборы с отрицательным объемным сопротивлением, например приборы с эффектом Ганна; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки таких приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее 27/00) [2] |
|
|
|
| H01L 49/00 | Приборы на твердом теле, не предусмотренные в группах 27/00 - 47/00 и 51/00 и не предусмотренные ни в одном другом подклассе; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления таких приборов или их частей [2,8] |
| H01L 49/02 | | .тонкопленочные или толстопленочные приборы [2] |
|
|
| H01L 51/00 | Приборы на твердом теле с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (устройства, состоящие из множества компонентов, сформированных на общей подложке или внутри нее 27/28; термоэлектрические устройства с использованием органических веществ 35/00, 37/00; пьезоэлектрические, электрострикционные или магнитострикционные элементы с использованием органических веществ 41/00) [6,8] |
| H01L 51/05 | | .специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером [8] |
| H01L 51/10 | | ..конструктивные элементы приборов [6] |
| H01L 51/30 | | ..выбор материалов [6] |
| H01L 51/40 | | ..способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей [6,8] |
| H01L 51/42 | | .специально предназначенные для восприятия инфракрасного излучения, светового, коротковолнового электромагнитного излучения или корпускулярного излучения; специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения [8] |
| H01L 51/44 | | ..конструктивные элементы приборов [8] |
| H01L 51/46 | | ..выбор материалов [8] |
| H01L 51/48 | | ..способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей [8] |
| H01L 51/50 | | .специально предназначенные для светового излучения, например органические светоизлучающие диоды (OLED) или полимерные светоизлучающие устройства (PLED) (полупроводниковые лазеры с использованием органических веществ H 01S 5/36) [8] |
| H01L 51/52 | | ..конструктивные элементы приборов [8] |
| H01L 51/54 | | ..выбор материалов [8] |
| H01L 51/56 | | ..способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей [8] |
|
|
| © 2017. ПАТ-Инфо, В.И. Карнышев |
|
|
|
